VVCgr-110/120-1600-氣相沉積爐

簡要描述：熱誘導化學氣相沉積是用于各種電介質,半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態上或大或小的形態。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導體工業的典型要求，根據工藝參數，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數毫米。

更新日期：2025-11-05
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技術數據
規格
應用
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下載

CVD / CVI 氣相沉積爐

簡介

CVD 氣相沉積. CVI 氣相滲透. 氣相涂層系統.

熱誘導化學氣相沉積（英語：chemical vapor deposition，CVD）是用于各種電介質，半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態上或大或小的形態。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。

通過使用合成前體，涂層非常純凈并且滿足半導體工業的典型要求。根據工藝參數，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數毫米。

熱誘導的化學氣相滲透（英語：chemical vapor infiltration，CVI）是一個與CVD有關的技術，以在基體材料滲入多孔或纖維預成型件以制備由復合材料制成的部件具有改善的機械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應力。

適用于結構復雜的各種尺寸和形狀。通過多個氣體開口之間切換時，在實際沉積作用前，多孔的或纖維預成型件可以涂覆有多層涂層。

CVD 氣相沉積方式：

氣相沉積SiC，Si3N4，BN和AlN

SiC:

CH₃SiCl₃ → SiC + 3HCl

Si₃N₄:

3SiCl₄ + 4NH₃ → Si₃N₄ + 12HCl

BN:

BCl₃ + NH₃ → BN + 3HCl

AlN:

AlCl₃ + NH₃ → AlN + 3HCl

技術特點：

采用立式、底/頂開門結構：裝、卸料精度高，操作方便；
采用先進的控制技術，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內沉積氣流穩定，壓力波動范圍小；
溫度均勻性好：平均溫度均勻性為±5℃；
采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
安全性能好：采用HMI+PLC+PID程序控溫制，安全可靠；
對沉積產生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產物能進行有效處理；
多級高效尾氣處理系統，環境友好，能高效收集焦油及副產物，易清理；
采用設計防腐蝕真空機組，持續工作時間長，維修率極低。

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產品編號	產品型號	有效區尺寸（mm）	冷態極限真空度(Pa)	最高工作溫度(℃)	適用工藝
C4VGR16	VVCgr-50/60-1600	Φ500x600	1	1600	CVD/CVI
C6VGR16	VVCgr-80/90-1600	Φ800x900	1	1600	CVD/CVI
C8VGR16	VVCgr-110/120-1600	Φ1100x1200	1	1600	CVD/CVI
C10VGR16	VVCgr-140/200-1600	Φ1400x2000	1	1600	CVD/CVI

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VVCgr-110/120-1600-氣相沉積爐

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